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2SC3929A

更新时间： 2024-01-27 18:10:59

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描述
Low noise voltage NV. High forward current transfer ratio hFE.

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2SC3929A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	350 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3929A 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TTrraannssiissttIooCrrss

Product specification

2SC3929A

Features

Low noise voltage NV.

High forward current transfer ratio h^FE.

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector current

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

100

P^C

150

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

I^C= 10ìA, I^E= 0

Min

Typ

0.7

Max

Unit

Collector-base voltage

V^CBO

VCEO

VEBO

V^BE

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

IC = 2 mA, IB = 0

IE = 10 ìA, IC = 0

V^CE= 1 V, I^C= 100 mA

V^CB= 10 V, I^E= 0

V^CE= 10 V, I^B= 0

V^CE= 5 V, I^C= 2 mA

Base-emitter voltage

1.0

0.1

Collector-base cutoff current

Collector-emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I^CBO

I^CEO

h^FE

ìA

180

700

0.6

V^CE(sat)I^C= 100 mA, I^B= 10 mA

f^T

V^CB= 5 V, I^E= ?2 mA, f = 200 MHz

100

MHz

V^CE= 10 V, I^C= 1 mA, G^V= 80 dB, R^g

= 100 kÙ, F^unction= FLAT

Noise voltage

150

hFE Classification

Marking

h^FE

360 700

180 360

260 520

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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