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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.15 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 4 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 510 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3731-K-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC3731L | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SC3731M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SC3731-M-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC3732 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC3732-A | RENESAS |
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Bipolar Power Transistors, , / |
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| 2SC3732K | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SC3732-K | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC3732-K-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC3732L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR |
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