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2SC3734

更新时间: 2024-02-03 00:57:25
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 237K
描述
HIGH FREQUENCY AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

2SC3734 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.46最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):510 MHz

2SC3734 数据手册

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