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2SC3732M

更新时间: 2024-01-15 16:21:54
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 164K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR

2SC3732M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.15
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):750 MHzBase Number Matches:1

2SC3732M 数据手册

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