2SC3279-L

更新时间： 2024-11-23 07:30:39

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	258K
描述
NPN Silicon Epitaxial Transistors

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2SC3279-L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.44
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	140	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	750 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3279-L 数据手册

2SC3279-L

2SC3279-M

2SC3279-N

2SC3279-P

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

High DC Current Gain and excellent h_FELinearity

h_FE(1)=140-600 (V_CE=1.0V, I_C=0.5A)

h_FE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (V_CE=1.0V, I_C=2.0A)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92

Maximum Ratings

Symbol

Rating

6.0

Unit

V_CEO

V_CES

V_CBO

V_EBO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - DC

Pulsed ⁽¹⁾

2.0

5.0

I_C

I_B

P_C

T_J

Base Current

0.2

750

-55 to +150

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

^OC

T_STG

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Voltage

---

Vdc

(I =10mAdc, I_B=0)

Collector-Emitter Voltage

6.0

---

Vdc

(I =1.0mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

(V_CB=30Vdc,I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

---

0.1

uAdc

(V_EB=6.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

DC Current Gain⁽²⁾

---

(I =0.5Adc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

140

---

200

0.2

600

---

(I =2.0Adc, V_CE=1.0Vdc)

Collector Saturation Voltage

(I =2.0Adc, I =50mAdc)

DIMENSIONS

Vdc

MHz

---

0.5

1.5

---

INCHES

Base Saturation Voltage

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

(I =2.0Adc, V_CE=1.0Vdc)

---

0.86

150

.190

.590

.020

.160

.104

f_T

Transition Frequency

(V_CE=1.0Vdc, I =0.5Adc)

100

C_ob

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)

---

(1) Pulse Width=10 ms (Max.), Duty Cycle=30% (Max.)

(2) h_FE(1)Classification L: 140-240, M: 200-330, N: 300-450, P: 420-600

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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