2SC3279L-BP

更新时间： 2024-11-23 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	258K
描述
2000mA, 10V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3279L-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.44
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3279L-BP 数据手册

2SC3279-L

2SC3279-M

2SC3279-N

2SC3279-P

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

High DC Current Gain and excellent h_FELinearity

h_FE(1)=140-600 (V_CE=1.0V, I_C=0.5A)

h_FE(2)=70 (Min.), 200 (Typ.) (V_CE=1.0V, I_C=2.0A)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

NPN Silicon

Epitaxial Transistors

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

TO-92

Maximum Ratings

Symbol

Rating

6.0

Unit

V_CEO

V_CES

V_CBO

V_EBO

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - DC

Pulsed ⁽¹⁾

2.0

5.0

I_C

I_B

P_C

T_J

Base Current

0.2

750

-55 to +150

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

^OC

T_STG

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Voltage

---

Vdc

(I =10mAdc, I_B=0)

Collector-Emitter Voltage

6.0

---

Vdc

(I =1.0mAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

(V_CB=30Vdc,I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

---

0.1

uAdc

(V_EB=6.0Vdc, I =0)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

DC Current Gain⁽²⁾

---

(I =0.5Adc, V_CE=1.0Vdc)

DC Current Gain

140

---

200

0.2

600

---

(I =2.0Adc, V_CE=1.0Vdc)

Collector Saturation Voltage

(I =2.0Adc, I =50mAdc)

DIMENSIONS

Vdc

MHz

---

0.5

1.5

---

INCHES

Base Saturation Voltage

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

(I =2.0Adc, V_CE=1.0Vdc)

---

0.86

150

.190

.590

.020

.160

.104

f_T

Transition Frequency

(V_CE=1.0Vdc, I =0.5Adc)

100

C_ob

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)

---

(1) Pulse Width=10 ms (Max.), Duty Cycle=30% (Max.)

(2) h_FE(1)Classification L: 140-240, M: 200-330, N: 300-450, P: 420-600

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SC3279L-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3279-L-BP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
2SC3279M	ETC	获取价格	BJT
2SC3279-M	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistors
2SC3279-M-A	MCC	获取价格	Transistor
2SC3279-M-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
2SC3279-M-AP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
2SC3279-M-B	MCC	获取价格	Transistor
2SC3279-M-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, RO
2SC3279M-BP	MCC	获取价格	2000mA, 10V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
2SC3279-M-BP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,

与2SC3279L-BP相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

55
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3279L-BP

2SC3279L-BP 技术参数

2SC3279L-BP 数据手册

与2SC3279L-BP相关器件

与2SC3279L-BP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC3279L-BP

2SC3279L-BP 技术参数

2SC3279L-BP 数据手册

与2SC3279L-BP相关器件

与2SC3279L-BP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？