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2SC3153_2014

更新时间： 2024-11-30 01:18:51

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3153_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3153

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·High breakdown voltage (V_CBO≥900V)

·Fast switching speed

·Wide ASO（Safe Operating Area）

APPLICATIONS

·800V/6A switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

900

800

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3 4

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