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2SC3163

更新时间： 2024-11-28 07:30:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3163 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SC3163 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3163

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High breakdown voltage

·High speed switching

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Open base

400

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction case

2.5

℃/W

12 3

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