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2SC3158_2014

更新时间： 2024-11-30 01:18:51

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3158_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3158

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·High voltage

·High switching speed

APPLICATIONS

·For switching regulator applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

500

400

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

Ta=25℃

T_C=25℃

1. 5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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