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2SC3164_15

更新时间： 2024-11-30 01:20:39

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3164_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3164

DESCRIPTION

·With TO-247 package

·Switching power transistor

·High breakdown voltage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Base current

CONDITIONS

VALUE

500

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_B

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.25

℃/W

12 3

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