Datasheet > 2SC3157

2SC3157

更新时间： 2024-01-07 03:06:40

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	50K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3157 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最大降落时间（tf）：	500 ns	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	1.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	2000 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

2SC3157 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3157

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High switching speed

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SA1261

APPLICATIONS

·For high voltage ,high speed and

power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

3.5

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SC3157相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3157_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3157_2014	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3158	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3158	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3158	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3158_15	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3158_2014	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3159	JMNIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3159	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC3159	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors