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2SC3157

更新时间： 2024-11-29 05:56:19

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	50K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3157 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3157

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High switching speed

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SA1261

APPLICATIONS

·For high voltage ,high speed and

power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

150

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

3.5

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_T

Total power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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