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2SC3156

更新时间： 2024-01-05 11:55:45

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3156 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SC3156 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3156

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

: V_CBO=900V(Min)

·Fast switching speed.

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For switching regulator applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_C=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

900

800

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CP

Collector current-peak

Base current

PW≤300µs, Duty Cycle≤10%

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

120

150

-55~150

ꢀ

T_j

ꢀ

T_stg

12 3

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