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2SC3052

更新时间： 2024-01-26 13:52:07
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 348K
描述
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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2SC3052 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.44
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

2SC3052 数据手册

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2SC3052  
Silicon  
NPN  
Elektronische Bauelemente  
Plastic-Encapsulate Transistor  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
SOT-23  
Min  
Dim  
A
B
C
D
G
H
J
Max  
3.COLLECTOR  
2.800 3.040  
1.200 1.400  
0.890 1.110  
0.370 0.500  
1.780 2.040  
0.013 0.100  
0.085 0.177  
0.450 0.600  
0.890 1.020  
2.100 2.500  
0.450 0.600  
A
L
1.BASE  
2.EMITTER  
3
S
Top View  
B
FEATURES  
1
2
n
Excellent linearity of DC forward current gain  
RoHS Compliant Product  
V
G
n
n
K
L
Low collector to emitter saturation voltage  
VCE(sat) = 0.3V max (@IC=100mA, IB=10mA)  
S
C
V
H
J
D
K
All Dimension in mm  
oC  
MAXIMUM RATINGS* TA=25 unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
50  
V
V
Collector-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6
0.2  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
A
150  
PC  
mW  
oC  
TJ, Tstg  
125,-55~125  
Junction and Storage Temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb =25oC unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Collector-base breakdown voltage  
V(BR)CBO  
50  
V
Ic=100µ A, IE=0  
Ic= 100µA, IB=0  
IE= 100µ A, IC=0  
VCB= 50 V , IE=0  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
6
V
V
0.1  
0.1  
800  
µA  
µA  
Emitter cut-off current  
DC current gain  
IEBO  
VEB= 6V , IC=0  
VCE= 6V, IC= 1mA  
VCE= 6V, IC= 0.1mA  
IC = 100mA, IB= 10mA  
hFE(1)  
150  
50  
hFE(2)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
0.3  
1
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
IC = 100mA, IB= 10mA  
VCE=6V , IC= 10mA  
180  
MHz  
V
CE=6V, IE= 0, f= 1 MHz  
4
pF  
dB  
Cob  
Collector output capacitance  
Noise figure  
VCE=6V, IE= -0.1mA, f = 1KHz  
RG=2KΩ  
NF  
15  
CLASSIFICATION OF hFE  
Marking  
Rank  
LE  
E
LF  
F
LG  
G
150-300  
250-500  
400-800  
Range  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 3  
123

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