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2SC2853ETZ-E

更新时间: 2024-09-16 06:16:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 170K
描述
Silicon NPN Epitaxial

2SC2853ETZ-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.7
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:90 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):400JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):310 MHzBase Number Matches:1

2SC2853ETZ-E 数据手册

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2SC2853  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0708-0300  
(Previous ADE-208-1078A)  
Rev.3.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A  
(Package name: 2 (1))  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
S
VC
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
V
V
V
0  
mA  
mA  
mW  
°C  
Emitter current  
IE  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 6  

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