5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2854TZ | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC2855 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC2855 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| 2SC2855|2SC2856 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SC2855D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2855DRF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
|
| 2SC2855DRR | RENESAS |
获取价格 |
100mA, 90V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
|
| 2SC2855DRR | HITACHI |
获取价格 |
100mA, 90V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
|
| 2SC2855E | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN, TO-92 |
|
| 2SC2855-E | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
