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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 250 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC2856D | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2856-D | RENESAS | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| 2SC2856DRF | HITACHI | 100mA, 120V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN |
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| 2SC2856DRR | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| 2SC2856E | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2856ERF | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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