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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.06 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 940 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2620C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-23 |
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| 2SC2620-C | HITACHI |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2620-C | RENESAS |
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VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2620QB | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| 2SC2620QB | RENESAS |
获取价格 |
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2620QBTL | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2620QBTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar |
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| 2SC2620QBTR | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2620QBTR | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3 |
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| 2SC2620QBTR-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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