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2SC2620QCTL-E

更新时间: 2024-01-14 01:22:46
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar

2SC2620QCTL-E 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:MPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.22最大集电极电流 (IC):0.02 A
基于收集器的最大容量:1.2 pF集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):940 MHzBase Number Matches:1

2SC2620QCTL-E 数据手册

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2SC2620  
Silicon NPN Epitaxial Planar  
REJ03G0704-0200  
(Previous ADE-208-1071)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
VHF amplifier, Local oscillator  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
1. Emitter  
2. Base  
3
3. Collector  
1
2
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
30  
20  
V
4
20  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
100  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7  

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