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2SC2620QBTL-E

更新时间： 2024-11-25 06:26:31

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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8页	95K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar

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2SC2620QBTL-E 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	MPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	基于收集器的最大容量：	1.2 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	940 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2620QBTL-E 数据手册

2SC2620

Silicon NPN Epitaxial Planar

REJ03G0704-0200

(Previous ADE-208-1071)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

VHF amplifier, Local oscillator

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

100

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7

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