2SC2619FC

更新时间： 2024-11-25 13:04:15

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瑞萨 - RENESAS		/
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9页	193K
描述
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SC2619FC 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3.5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	230 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2619FC 数据手册

2SC2619

Silicon NPN Epitaxial

REJ03G0703-0200

(Previous ADE-208-1070)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

High frequency amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

100

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SC2619FCTL-E	RENESAS	获取价格	100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
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