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2SC2619FC

更新时间: 2024-02-07 11:08:04
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
9页 193K
描述
Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SC2619FC 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.4最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):230 MHzBase Number Matches:1

2SC2619FC 数据手册

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2SC2619  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0703-0200  
(Previous ADE-208-1070)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
High frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
1. Emitter  
Base  
3
ector  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Ratings  
Unit  
V
C  
30  
30  
V
5
100  
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 8  

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100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
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