5秒后页面跳转
2SC2610TZ PDF预览

2SC2610TZ

更新时间: 2024-11-18 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 156K
描述
100mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SC2610TZ 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:O-PBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SC2610TZ 数据手册

 浏览型号2SC2610TZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2610TZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2610TZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC2610TZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC2610TZ的Datasheet PDF文件第6页 
2SC2610  
Silicon NPN Triple Diffused  
REJ03G0700-0200  
(Previous ADE-208-1068)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
High voltage amplifier  
TV Video output  
Outline  
RENESAS Packaode: PRSS0003DC-A  
(Package namMod)  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Symbo
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
0  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

与2SC2610TZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2610TZ-E RENESAS

获取价格

Silicon NPN Triple Diffused
2SC2611 HITACHI

获取价格

Silicon NPN Triple Diffused
2SC2611 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC2611 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC2611 FOSHAN

获取价格

TO-126F
2SC2611 KEXIN

获取价格

NPN Transistor
2SC2612 HITACHI

获取价格

Silicon NPN Triple Diffused
2SC2612 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC2612 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SC2612 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 400V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB