2SC2612

更新时间： 2024-09-22 06:17:27

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4页	152K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2612 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC2612 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2612

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High collector breakdown voltage

: V_CEO=400V(Min)

APPLICATIONS

·For high voltage ,high speed and

high power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

400

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

Base current

I_B

1.5

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2612-E	RENESAS	获取价格	3A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
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2SC2613	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SC2613	HITACHI	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SC2613	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SC2613	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SC2613(K)	HITACHI	获取价格	POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SC2613-E	RENESAS	获取价格	5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SC2613K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SC2614	ETC	获取价格	HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED AND HIGH POWER SWITCHING