2SC2613

更新时间： 2024-02-02 08:07:10

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7页	42K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

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2SC2613 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2613 数据手册

2SC2613

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High voltage, high speed and high power switching

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

500

400

Collector peak current

Base current

I_C(peak)

I_B

2.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

P_C*¹

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5 6 7

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