2SC2613

更新时间： 2024-02-04 04:46:36

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日立 - HITACHI		/
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7页	42K
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Silicon NPN Triple Diffused

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2SC2613 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2613 数据手册

2SC2613

Base to Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

Switching Time vs. Collector Current

I_C= 5 I_B

t_stg

_C= 25°C

1.0

t_f

t_on

0.3

0.1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.03

0.01

I_C= 5 I_B1= –5 I_B2

V_CC= 150 V

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

Collector current I_C(A)

Switching Time vs. Case Temperature

1.0

0.5

t_stg

t_f

t_on

0.2

0.1

I_C= 5 A

_B1= –I_B2=1 A

R_L= 30 Ω

V_CC= 150 V

0.05

100

125

Case temperature T_C(°C)

1 2 3 456 7

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