2SC2613

更新时间： 2024-02-07 07:22:54

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日立 - HITACHI		/
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7页	42K
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Silicon NPN Triple Diffused

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2SC2613 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2613 数据手册

2SC2613

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

0.5

0.4

T_C= 25°C

0.3

0.2

V_CE= 5 V

0.1

0.05 A

T_C= 25°C

I_B= 0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Base to emitter voltage V_BE(V)

Collector to emitter Voltage V_CE(V)

DC Current Transfer Ratio vs.

Collector Current

Collector to Emitter Saturation

Voltage vs. Base Current

100

75°C

25°C

2 A

1 A

1.0

0.3

0.1

I_C= 0.5 A

0.03

0.01

V_CE= 5 V

T_C= 25°C

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

Collector current I_C(A)

Base current I_B(A)

1 2 345 6 7

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