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2SC2613

更新时间： 2024-01-23 05:34:47

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	145K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2613 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.42	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2613 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2613

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High collector breakdown voltage

: V_CEO=400V(Min)

APPLICATIONS

·For high voltage ,high speed and

high power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

500

400

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

2.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2613(K)	HITACHI	获取价格	POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SC2613-E	RENESAS	获取价格	5A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
2SC2613K	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-220AB
2SC2614	ETC	获取价格	HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED AND HIGH POWER SWITCHING
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