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2SC2562_2014

更新时间： 2024-02-27 20:29:33

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2562_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2562

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·Complement to type 2SA1012

·Low saturation voltage

·High speed switching time

APPLICATIONS

·High current switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4 5

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