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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SC-43B, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | R-PBCY-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2570A | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC2570A | RENESAS |
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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION |
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| 2SC2570A | ISC |
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isc Silicon NPN RF Transistor |
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| 2SC2570A(NE02132) | NEC |
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Discrete |
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| 2SC2570A-E | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2570A-E-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2570A-T | NEC |
获取价格 |
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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| 2SC2570A-TE | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC2570A-T-E | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC2570A-TE-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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