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2SC2578

更新时间： 2024-02-17 03:30:35

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	52K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2578 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2578 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SC2578

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complementary to 2SA1104

·High Power Dissipation

·High Current Capability

APPLICATIONS

·Audio power amplifier

·DC TO DC Converter

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

140

100

UNIT

Open base

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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