2SC2570A

更新时间： 2024-09-26 22:52:39

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日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管
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描述
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC2570A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
基于收集器的最大容量：	0.9 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2570A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON TRANSISTOR

2SC2570A

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The 2SC2570A is designed for use in Low Noise Amplifier of VHF & UHF stages.

FEATURES

•

Low noise and high gain

Wide dynamic range

: NF = 1.5 dB TYP., Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V^CE= 10 V, I^C= 5.0 mA

: NF = 1.9 dB, Ga = 9 dB @f = 1 GHz, V^CE= 10 V, I^C= 15 mA

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

2SC2570A

Loose products (500 pcs)

2SC2570A-T

Taping products (Box type) (2 500 pcs)

Remark To order evaluation samples, please contact your NEC sales office (available in 500-pcs units).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25 °C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

3.0

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^tot

600

T^j

150

T^stg

–65 to +150

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P10404EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published November 1999 N CP(K)

Printed in Japan

1980, 1999

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