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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.22 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2518-L-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SC2518M | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
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| 2SC2518-M | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SC2518-M-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| 2SC2519 | PANASONIC |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SC2521 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 |
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| 2SC2522 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3 |
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| 2SC2522A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3 |
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| 2SC2523 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2523 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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