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2SC2534

更新时间: 2024-01-02 09:21:14
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SAVANTIC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 152K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SC2534 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.8
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:20 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):3500 nsVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SC2534 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2SC2534  
DESCRIPTION  
·With TO-220C package  
·High collector breakdown voltage  
: VCEO=400V(Min)  
·Excellent switching time  
: tr=1.0µs(Max.)  
: tf=1.0µs(Max.  
APPLICATIONS  
·High speed high voltage switching applications  
·Switching regulator applications  
·High speed DC-DC converter applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Emitter  
Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
500  
400  
6
UNIT  
Collector-base voltage  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
Open collector  
2
IB  
Base current  
0.5  
Ta=25ꢀ  
TC=25ꢀ  
1.5  
PC  
Collector dissipation  
W
20  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55~150  
Tstg  

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