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2SC2522A

更新时间: 2024-01-02 05:02:21
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 101K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-3

2SC2522A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82其他特性:RING EMITTER TRANSISTOR
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):12 A
基于收集器的最大容量:300 pF集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:120 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:1.8 V
Base Number Matches:1

2SC2522A 数据手册

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