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2SC2535

更新时间： 2024-02-06 13:14:02

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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技术参数
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2SC2535 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.85
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2535 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2535

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High collector breakdown voltage

: V_CEO=400V(Min)

·Excellent switching time

: t_r=1.0μs(Max.)

: t_f=1.0μs(Max.

APPLICATIONS

·High speed high voltage switching applications

·Switching regulator applications

·High speed DC-DC converter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

500

Open base

400

Open collector

I_B

Base current

T_a=25℃

T_C=25℃

1.5

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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