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2SC2535

更新时间： 2024-02-06 07:45:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC2535 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.85
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SC2535 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC2535

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

CONDITIONS

MIN

400

500

TYP.

MAX

UNIT

I_C=10mA ; I_B=0

I_C=1mA ; I_E=0

I_C=3A; I_B=0.6A

V_CB=400V ;I_E=0

V_EB=6V; I_C=0

1.0

1.5

100

μA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=3A ; V_CE=5V

Switching times

t_r

t_stg

t_f

Rise time

1.0

2.5

1.0

μs

V_CC=200V;

I_B1=-I_B2=0.3A;R_L=68Ω

Duty cycle≤1%

Storage time

Fall time

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