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2SC2412K_09

更新时间： 2024-10-30 06:17:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 172K
描述
General purpose transistor (50V, 0.15A)

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2SC2412K_09 数据手册

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General purpose transistor (50V, 0.15A)  
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 / 2SC1740S  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1. Low Cob. Cob=2.0pF (Typ.)Cob=2.0pF (Typ.)  
2. Complements the 2SA1037AK / 2SA1576A /  
2SA1774H / 2SA2029 / 2SA933AS.  
2SC2412K  
2SC4081  
2SC4617  
(
)
1
(
)
2
(
)
3
1.25  
2.1  
0.8  
1.6  
1.6  
2.8  
Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
0.1Min.  
0.1Min.  
0.3Min.  
Each lead has same dimensions  
Each lead has same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
(1) Emitter  
(2) Base  
ROHM : EMT3  
EIAJ : SC-75A  
(1) Emitter  
(2) Base  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter  
(2) Base  
JEDEC : SOT-323  
(3) Collector  
JEDEC : SOT-416  
(3) Collector  
JEDEC : SOT-346  
(3) Collector  
Abbreviated symbol: B*  
Abbreviated symbol: B*  
Abbreviated symbol: B*  
2SC5658  
2SC1740S  
4±  
0.2  
2±0.2  
1.2  
0.2 0.8 0.2  
( )  
2
(3)  
( )  
1
+0.15  
0.45  
−0.05  
0.15Max.  
+0.15  
+0.4  
0.45  
−0.05  
2.5  
0.5  
−
0.1  
5
(1) (2) (3)  
(1) Base  
(1) Emitter  
ROHM : VMT3  
(2) Emitter  
(3) Collector  
ROHM  
EIAJ  
:
SPT  
(2) Collector  
(3) Base  
:
SC-72  
Abbreviated symbol: B*  
* Denotes hFE  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
V
V
CBO  
V
V
V
A
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CEO  
EBO  
50  
7
I
C
0.15  
0.2  
0.15  
0.3  
150  
2SC2412K, 2SC4081  
Collector power  
2SC4617, 2SC5658  
dissipation  
PC  
W
2SC1740S  
Junction temperature  
Tj  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
50  
7
I
I
I
C
=50μA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
V
C=1mA  
−
−
V
E=50μA  
I
CBO  
EBO  
FE  
CE(sat)  
−
−
0.1  
0.1  
390  
0.4  
−
μA  
μA  
−
V
CB=60V  
I
−
−
Emitter cutoff current  
V
EB=7V  
CE=6V, I  
/I =50mA/5mA  
h
120  
−
−
V
C
=1mA  
DC current transfer ratio  
V
−
V
I
C B  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
f
T
−
180  
2
MHz  
pF  
V
CE=12V, I  
CE=12V, I  
E
=−2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
−
3.5  
V
E
Output capacitance  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.C  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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与2SC2412K_09相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2412K_1 ROHM

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 		General purpose transistor (50V, 0.15A)
2SC2412K_15 WINNERJOIN

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2SC2412KBE ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
2SC2412KBQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-23VAR
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