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2SC2411

更新时间: 2024-11-21 04:25:55
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 437K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SC2411 数据手册

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BL Galaxy Electrical  
Production specification  
Silicon Epitaxial Planar Transistor  
2SC2411  
FEATURES  
Pb  
Lead-free  
z
Power dissipation: PCM=200mW  
APPLICATIONS  
z
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
SOT-23  
ORDERING INFORMATION  
Type No.  
2SC2411  
Marking  
CP/CQ/CR  
Package Code  
SOT-23  
MAXIMUM RATING @ Ta=25unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
40  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
32  
V
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
500  
200  
mA  
mW  
PC  
Junction and Storage Temperature  
Tj,Tstg  
-55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified  
Document number: BL/SSSTC097  
Rev.A  
www.galaxycn.com  
1

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