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2SC2411KFRAT146R

更新时间: 2024-11-18 20:52:59
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罗姆 - ROHM 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 961K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

2SC2411KFRAT146R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

2SC2411KFRAT146R 数据手册

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2SC2411KFRA  
Transistors  
Medium Power Transistor (32V, 0.5A) AEC-Q101 Qualified  
2SC2411KFRA  
zFeatures  
zExternal dimensions (Units : mm)  
1) High ICMax.  
2SC2411KFRA  
ICMax. = 0.5A  
2) Low VCE(sat).  
2.9 0.2  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
+0.2  
1.1  
Optimal for low voltage operation.  
3) Complements the 22SSAA11003366KKF.RA  
0.1  
0.8 0.1  
(2)  
(1)  
0 0.1  
(3)  
All terminals have same dimensions  
zStructure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
+0.1  
0.15  
+0.1  
0.06  
0.4  
0.05  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Abbreviated symbol : C∗  
Denotes hFE  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
40  
32  
V
5
0.5  
V
I
C
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Tstg  
55 to +150  
PC must not be exceeded.  
*
Rev.A  
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