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2SC2411_0712

更新时间： 2024-11-18 07:30:31

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
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4页	184K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SC2411_0712 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SC2411

FEATURES

Power dissipation: P_CM=200mW

High I_CM(MAX.),I _CM(MAX.)=0.5mA.

Low V_CE(sat).

Lead-free

Complements the 2SA1036.

APPLICATIONS

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SC2411

Marking

CP/CQ/CR

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

500

200

-55~150

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

Document number: BL/SSSTC097

Rev.A

www.galaxycn.com

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