2SC2351-F

更新时间： 2024-01-10 14:18:17

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-346

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2SC2351-F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2351-F 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC2351

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

MINI MOLD

FEATURES

•

1.5 dB TYP.

14 dB TYP.

@ f = 1.0 GHz

PACKAGE DIMENSIONS

(Units: mm)

MAG

2.8±0.2

1.5

+0.1

−0.15

0.65

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

250

T^j

150

Marking

T^stg

−65 to +150

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 °C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

µA

TEST CONDITIONS

I^CBO

0.1

200

V^CB= 15 V, I^E= 0

µA

I^EBO

V^EB= 2.0 V, I^C= 0

h^FE

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

f^T

4.5

0.75

GHz

C^ob

1.0

3.0

S²¹e

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 5 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

1.5

Maximum Available Gain

MAG

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

E/P *

F/Q *

40 to 120

100 to 200

* Old Specification / New Specification

Document No. P10350EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1984

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2351-L	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC2351-P	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-346
2SC2351Q	ISC	获取价格	暂无描述
2SC2351-Q	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-346
2SC2351R2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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2SC2351-T1BR2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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