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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 480 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2362H | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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| 2SC2362K | SANYO |
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High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
|
| 2SC2362K_08 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
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| 2SC2362KF | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2362KG | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2362KH | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2363 | ETC |
获取价格 |
PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2365 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2365 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2365 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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