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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2351-T1B | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2351-T1BR2 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2351-T1BR3 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2352 | NEC |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2SC2353 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 2SC2353K | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC2353L | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC2356 | FUJITSU |
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SILICON HIGH SPEED TRIPLE DIFFUSED NPN POWER TRANSISTOR 10 AMP,400 VOLT |
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| 2SC2358 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2358 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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