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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 135 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2361 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2361 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2362 | SANYO |
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High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
|
| 2SC2362 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| 2SC2362_08 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
|
| 2SC2362F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2362G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2362H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
|
| 2SC2362K | SANYO |
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High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
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| 2SC2362K_08 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
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