生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最大集电极电流 (IC): | 0.05 A | 基于收集器的最大容量: | 1 pF |
集电极-发射极最大电压: | 14 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 60 | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | O-PRDB-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 极性/信道类型: | NPN |
最小功率增益 (Gp): | 14 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 2300 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC2356 | FUJITSU |
获取价格 |
SILICON HIGH SPEED TRIPLE DIFFUSED NPN POWER TRANSISTOR 10 AMP,400 VOLT | |
2SC2358 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC2358 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC2360H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili | |
2SC2361 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC2361 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors | |
2SC2362 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications | |
2SC2362 | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 | |
2SC2362_08 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications | |
2SC2362F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |