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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2337AR | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SC2337AS | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SC2337P | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SC2337Q | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SC2337S | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 130V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SC2344 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2344 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2344 | SANYO |
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High-Voltage Switching, AF Power Amp, 100W Output Predriver Applications |
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| 2SC2344 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SC2344 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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