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2SC2120-O-AP

更新时间： 2024-11-20 15:30:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 258K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SC2120-O-AP 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Base Number Matches：1

2SC2120-O-AP 数据手册

 浏览型号2SC2120-O-AP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SC2120-O  
2SC2120-Y  
Micro Commercial Components  
Features  
ꢀꢁ Complementary Pair With 2SA950  
ꢀꢁ Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
ꢀꢁ Moisure Sensitivity Level 1  
ꢀꢁ Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
NPN Silicon  
Transistors  
TO-92  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
30  
Unit  
V
A
E
35  
V
5.0  
V
B
800  
mA  
mW  
OC  
OC  
PC  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
600  
TJ  
150  
TSTG  
-55 to +150  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IB=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=35Vdc,IE=0)  
Collector-Emitter Cutoff Current  
(VCE=25Vdc,IB=0)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
35  
30  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
---  
Vdc  
D
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
ICEO  
---  
IEBO  
---  
E
E
C
C
B
B
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
G
ON CHARACTERISTICS  
BULK PACK AMMO PACK  
hFE  
VCE(sat)  
VBE  
DC Current Gain*  
100  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
320  
0.50  
0.80  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=20mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=10mAdc, VCE=1Vdc)  
Transition Frequency  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MIN  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
---  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
fT  
100  
---  
(VCE=5Vdc, IC=10mAdc)  
E
G
Cob  
Collector Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
13  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
* hFE rank / O: 100-200, Y:160-320,  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2012/11/22  
12

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与2SC2120-O-AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2120-O-BP MCC

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 		SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2120O-BP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120Y MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120-Y TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI
2SC2120-Y(TPE2) TOSHIBA

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