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2SC2139

更新时间： 2024-11-24 06:19:59

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	193K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC2139 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SC2139 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC2137

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 400V (Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Switching regulator and high voltage switching applications.

·High speed DC-DC converter applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

500

400

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-65~150

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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