Datasheet > 2SC2120

2SC2120

更新时间： 2024-01-13 03:02:48

品牌	Logo	应用领域
TGS		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	237K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC2120 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2120 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92

2SC2120 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

High DC Current Gain

Complementary to 2SA950

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.8

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

600

℃/W

℃

R_θJA

T_j

208

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_C= 0.1mA,I_E=0

I_C=10mA,I_B=0

I_E=0.1mA,I_C=0

V_CB=35V,I_E=0

0.1

320

0.5

0.8

μA

I_CEO

V_CE=25V,I_B=0

I_EBO

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=1V, I_C=100mA

I_C=500mA,I_B=20mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=5V,IC=10mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Collector output capacitance

Transition frequency

C_ob

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

100-200

160-320

B,Dec,2011

中文翻译

下载PDF

与2SC2120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2120_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC2120_11	SECOS	获取价格	NPN Plastic Encapsulated Transistor
2SC2120-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120O	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120-O	TOSHIBA	获取价格	Audio Power Amplifier Applications
2SC2120-O-AP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC2120-O-BP	MCC	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2120O-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120Y	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2SC2120-Y	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, BI