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2SC2098

更新时间: 2024-01-11 01:00:10
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频双极晶体管局域网
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2页 143K
描述
SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR

2SC2098 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):6 A基于收集器的最大容量:120 pF
配置:SINGLE最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SC2098 数据手册

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