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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 基于收集器的最大容量： | 250 pF | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-CRPM-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-121VAR |
|
| 2SC2101 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 2A I(C) | STX-8 |
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| 2SC2102 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STX-8 |
|
| 2SC2103 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | STX-M4 |
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| 2SC2103A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 6A I(C) | STX-8 |
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| 2SC2104 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800MA I(C) | STX-M4 |
|
| 2SC2105 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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| 2SC2106 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 2.8A I(C) | STX-M4 |
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| 2SC2114 | TOSHIBA |
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2SC2114 |
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| 2SC2115 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | MICRO-T |
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